22.03.2017 8:06
добавлено:

Корпорация Mitsubishi Electric начинает производство карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки

Корпорация Mitsubishi Electric объявила о запуске производства карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC-SBD) со встроенной структурой барьера на переходе Шоттки (JBS). Диоды позволяют снизить потребление энергии и уменьшить физические размеры систем электропитания кондиционеров, фотоэлектрических энергетических систем и т. д.

Особенности

1) Основа из карбида кремния снижает энергопотребление и позволяет уменьшить размер устройства

— Улучшенные динамические характеристики диодов приводят к сокращению потерь мощности примерно на 21 % по сравнению с изделиями на основе кремния (Si).

— Обеспечивается высокоскоростная коммутация и уменьшение размеров периферийных компонентов, таких как дроссели.

2) Повышение надежности благодаря структуре барьера на переходе Шоттки (JBS)

— Объединяет барьер Шоттки с p-n-переходом.

— Структура JBS помогает достичь высокой надежности.мицубиси

Поделиться в соц. сетях

Опубликовать в Facebook
Опубликовать в Одноклассники
Опубликовать в Google Plus
Опубликовать в LiveJournal
Опубликовать в Мой Мир
Опубликовать в Яндекс