Корпорация Mitsubishi Electric объявила о запуске производства карбидкремниевых диодов с барьером Шоттки (SiC-SBD) со встроенной структурой барьера на переходе Шоттки (JBS). Диоды позволяют снизить потребление энергии и уменьшить физические размеры систем электропитания кондиционеров, фотоэлектрических энергетических систем и т. д.
Особенности
1) Основа из карбида кремния снижает энергопотребление и позволяет уменьшить размер устройства
— Улучшенные динамические характеристики диодов приводят к сокращению потерь мощности примерно на 21 % по сравнению с изделиями на основе кремния (Si).
— Обеспечивается высокоскоростная коммутация и уменьшение размеров периферийных компонентов, таких как дроссели.
2) Повышение надежности благодаря структуре барьера на переходе Шоттки (JBS)
— Объединяет барьер Шоттки с p-n-переходом.
— Структура JBS помогает достичь высокой надежности.
Сокращенные результаты ПАО Сбербанк по РПБУ за январь 2026 года
В мобильном приложении «Золотого Яблока» появился антропоморфный чат-бот
АО «ФГК» организовало сервис по перевозке черных металлов в спецконтейнерах для ОЭМК
«Росэл» впервые представил сверхточный прибор для контроля микроэлектроники на ИННОПРОМе в Саудовской Аравии
«Перекрёсток» и Twinby выпустили «пасту для поцелуев» ко Дню всех влюбленных