В Росэлектронике уменьшают размер СВЧ-резонаторов для микроэлектроники

Специалисты холдинга «Росэлектроника» Госкорпорации Ростех разработали технологию изготовления тонкопленочных СВЧ-резонаторов, позволяющую в несколько раз сократить вес и размеры микроэлектронных устройств.

Технология, разработанная в АО «Омский НИИ приборостроения» (ОНИИП, входит в холдинг «Росэлектроника»), позволяет изготавливать СВЧ-резонаторы с Брэгговским отражателем на основе пленок оксида цинка и нитрида алюминия с добротностью 300-350 единиц и 500-650 единиц соответственно в едином технологическом цикле на частоту от 2 до 5 ГГц, а в перспективе до 20 ГГц.

Изготовленные опытные образцы устройств по ряду электрических и технологических характеристик превосходят российские и зарубежные аналоги. Например, размеры устройства на 5ГГц составляют всего 1,5х1,5х0,6 мм.

«Эта технология позволяет освоить выпуск принципиально новой для российского рынка продукции в сфере микроэлектроники», — отметил генеральный директор АО «Росэлектроника» Игорь Козлов.

Новая технология разработана в ходе исследований влияния конструктивных и технологических решений на параметры тонкопленочных СВЧ-резонаторов, применяемых в устройствах частотной селекции и стабилизации частоты радиоэлектронной аппаратуры. В результате был разработан особый способ напыления пленок алюминия с малой шероховатостью поверхности.

Брэгговский отражатель (или брэгговское зеркало, Bragg mirror, DBR-distributed Bragg reflector) — оптический элемент, представляющий собой структуру из чередующейся последовательности слоев двух различных оптических материалов. Наиболее часто используется конструкция в виде четвертьволнового зеркала, где толщина каждого оптического слоя соответствует четверти длины волны, для которой разработано зеркало. Последнее условие работает для нормальных углов падения (90 град). Для больших углов падения необходимы более толстые слои.

АО «ОНИИП» проводит исследования в области радиосвязи, ориентированные на решение широкого круга прикладных задач – от создания радиоэлектронных компонентов и устройств радиосвязи до сложнейших автоматизированных комплексов и систем связи и управления.